长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司于2019年9月推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。根据Omdia的数据，按出货量统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
2025年12月，长鑫科技科创板IPO申请获得受理。长鑫科技科创板IPO项目已经由上交所预先审阅，招股书及问询回复同步公开发布，长鑫科技成为中国资本市场上首单预先审阅的IPO项目。IPO预先审阅制，是指企业在正式提交IPO申报材料之前，将相对完整的申报文件提交给监管部门进行非公开、非正式的审阅，可以减少申报企业信息暴露的时间，加快审核流程。预先审阅机制仅限于关键核心技术攻关或者符合其他特定情形的科技型企业，这说明长鑫科技上市项目得到监管部门的大力支持。2026年3月31日，长鑫科技科创板IPO审核状态变更为“中止”，引起市场关注。因为最近一期财务数据是2025年6月末，到2026年3月末已经到IPO极限9个月有效期，需要更新财务资料。最好的结果就是2026年6月之前上市，否则要再更新3月31财报审计。可以合理推断，长鑫科技会争取4月完成财报审计，5月完成发行上市。
长鑫科技主营业务为DRAM产品的研发、设计、生产及销售。
DRAM也就是Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器。在电子设备的存储体系中，DRAM也就是俗称的“内存”，如电脑的内存条、手机的运行内存，它作为CPU的“高速工作台”，负责临时存放正在运行的程序数据，特点是速度极快但断电后数据会丢失，直接决定设备运行是否流畅。
早期的DRAM采用SDR技术，Single Data Rate，内部时钟信号每跳动一次，只传输一次数据，速度逐渐跟不上处理器的需求。为了解决这个瓶颈，1990年代末工程师推出了DDR技术，即Double Data Rate，创新地利用时钟信号的“上升沿”和“下降沿”各传输一次数据，相当于听到一次口令却搬了两趟货，在频率不变的情况下让速度直接翻倍，从而完成了从SDR到DDR的代际跨越。此后DDR技术不断迭代，从DDR1到DDR5，效率越来越高。带宽从DDR1的几百MB/s，暴涨到了DDR5的几十甚至上百GB/s，效率提升了数百倍。
截至目前，DDR3已彻底退出主流历史舞台，存量旧电脑和极致入门级新机仍在使用成熟的DDR4，而2026年所有新购的主流电脑、高性能游戏本及服务器已全面标配更高效的DDR5，DDR4正加速退场。与DDR4相比，DDR5的吞吐率由25.6GB/s跃至51.2GB/s，功耗降低约20%。在AI、游戏及渲染场景中，实际性能提升15%~30%，彻底释放多核CPU潜力。2026年DDR5在全球DRAM市场渗透率超过80%，在PC、服务器领域主导，移动和汽车市场处于快速渗透阶段，预计2027年将完成对DDR4的全面替代。
长鑫科技的DRAM产品主要包括DDR系列和LPDDR系列。这里的LPDDR，即Low Power Double Data Rate，首要目标是低功耗和小体积，延长电池续航并减少发热，专门为手机、平板、超薄笔记本这种移动设备准备的。而一般的DDR，追求极致的性能、带宽和容量，对功耗和体积不敏感，需要持续供电来保持数据，主要供应国产台式机、笔记本电脑以及部分服务器市场。简单来说，DDR追求的是高性能，主要场景是台式机和服务器，而LPDDR追求的是低功耗，主要场景是手机平板这种移动设备。
长鑫科技DDR系列产品覆盖DDR4、DDR5两大主流产品代际，能够提供8GB、16GB、32GB、64GB、96GB等多个容量规格的DRAM模组产品，有效满足服务器、个人电脑等应用市场需求；LPDDR系列产品，目前已推出LPDDR4X和LPDDR5/5X产品，并提供8GB以下、8GB、12GB、16GB等多个容量选择，广泛应用于手机、平板等移动设备，以及小型电子设备、智能汽车领域。
此外，DRAM产品还包括GDDR和HBM。GDDR，Graphics Double Data Rate，是专门为图形处理器设计的一种高性能动态随机存取存储器，主要用于游戏与图形渲染，目前长鑫科技产品线并未涉足；HBM，High Bandwidth Memory,高带宽存储器，通过3D堆叠技术将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，并通过硅通孔（TSV）进行互联的存储器。HBM解决了大模型训练中的数据传输瓶颈，直接决定AI算力效率。全球仅SK海力士、三星电子、美光科技可量产，是制约AI发展的核心战略资源。长鑫科技2025年完成16nm制程的HBM3样品研发，与SK海力士、三星电子、美光科技三巨头存在2~3年差距。
无实控人。招股书披露，无任何一名股东通过实际支配表决权能够决定长鑫科技董事会半数以上成员的选任。单从股权层面分析，安徽地方国资对公司影响最大，其余两股力量分别为大基金和管理层。
合肥模式。合肥模式简单来说，就是“政府像风投一样搞产业”。用国资的钱做启动资金，用市场的机制管运营，最终换来产业的集群和城市的升级。政府最大的优势是资金、政策和长远规划，而企业家的优势是创新精神，合肥模式本质上就是一场“有为政府”与“有效市场”的完美结合。合肥国资在项目成立之初就明确承诺：“只给钱给配套，绝不干预技术路线与经营决策”。这种模式旨在让企业专注于技术研发和市场拓展，避免因行政干预导致决策效率低下或偏离市场方向。经典案例包括：2008年逆周期重仓京东方；2016年牵头引进长鑫存储，通过“国资领投+朱一明团队运营”填补了中国自主DRAM内存的空白，构建了万亿级半导体产业集群；2020年危难之际注资蔚来汽车。
子公司布局。长鑫存储、长鑫新桥、长鑫集电是公司业务主要经营主体，于2025年6月末总资产规模占公司合并财务报表总资产规模比例合计超过95%。长鑫科技当前产能主要来自合肥、北京的三座12英寸晶圆厂。长鑫存储负责合肥一期主厂的运营；长鑫新桥是合肥二期项目生产运营主体；长鑫集电则是集团跨地域布局的北京制造基地。
管理团队。虽然长鑫科技在股权结构上被定义为“无实际控制人”，但公司的实际经营管理、技术路线制定及战略决策主要由创始人、董事长朱一明主导。朱一明是国内存储芯片领域极具影响力的领军人物，同时执掌兆易创新与长鑫科技两大国产存储核心企业，深耕集成电路存储赛道二十余年，具备深厚的技术研发功底、前瞻性的产业布局视野与成熟的企业管理运营能力，是推动国内DRAM产业从无到有、实现自主化突破的核心关键人物。总裁曹堪宇的背景与国资没有联系，根据兆易创新招股书，早在2010年兆易创新就与曹堪宇存在合作投资关系。媒体报道曹堪宇在加入长鑫之前，曾在兆易创新任战略市场副总裁，更像是朱一明在兆易创新的嫡系部队。他与董事长朱一明形成战略规划与日常运营的高效协同管理格局，保障公司长期稳健发展。根据招股书，长鑫科技的5名核心技术人员多具备国际大厂经验。比如李红文曾在美光半导体深耕14年，王丹在韩国三星子担任高级工程师达8年，TAN TECK HONG（陈德鸿）在新加坡美光科技积累了17年厂务经验，唐衍哲的履历涵盖格罗方德和恩智浦等顶尖大厂。
少数股东权益。截至2025年6月30日，公司少数股东权益高达762.31亿元，在所有者权益中占比超过60%，这通常意味着核心子公司引入了大量外部投资。长鑫科技通过引入地方国资、产业投资方等少数股东，推动产线、产能的快速扩张以提升市场竞争力，进而出现了少数股东权益高于归属于母公司所有者权益的情况。为维持对子公司的控制权，长鑫科技依赖于与外部股东签署的“一致行动协议”来锁定表决权。其优点在于能放大资金、快速吸纳产业资本并分散投资风险；缺点则是未来大部分利润将由少数股东分享，且控制权依赖于协议而非股权，存在潜在治理风险与长期博弈。
长鑫科技主要收入来源是LPDDR系列产品，聚焦移动设备。自2022年以来，LPDDR系列一直是公司的第一大收入来源，占比始终维持在80%左右的高位区间，2025年1~6月LPDDR系列占收入比重为69.74%。LPDDR是公司的基本盘，主要用于智能手机和平板电脑，下游包括小米、OPPO、vivo、荣耀、传音等国产手机。
另外一项，DDR系列产品的占比持续提升，主要靠服务器需求推动。自2022年DDR系列产品占收入比重为18.24%，2025年1~6月占比提高到27.82%。2024年底长鑫科技战略性停产DDR4，将产能和资源全面投入到更先进的DDR5产品上。DDR5凭借其更高的速率和能效，正在PC和服务器市场加速替代DDR4。提升DDR系列占比，意味着公司正成功地从单一的移动端市场，向利润率更高、市场空间更大的服务器和PC市场多元化发展。服务器和数据中心是DDR5需求的核心驱动力，占比约50%，客户可能包括腾讯云、阿里云、字节跳动等；其次为个人电脑与笔记本电脑需求，客户可能包括传音、荣耀、OPPO、vivo等。
从最终用途统计，公司最主要收入来源为移动设备领域，2022年以来收入占比均超过60%，2025年1~6月移动设备领域收入占比为64.43%；其次为服务器领域，2024年收入占比为8.39%，2025年提升至23.72%。公司早期以LPDDR为核心突破方向，快速完成技术迭代与客户导入，在移动设备领域建立了领先的市场份额，成为收入主力。服务器DDR业务是第二增长曲线，随着DDR5的量产，服务器占比随之提高。
从产品代际看，2022年、2023年、2024年、2025年1~6月，长鑫科技第四代DRAM（DDR4/LPDDR4X）产品收入占比分别为100.00%、99.58%、84.35%和59.56%，第五代DRAM（DDR5/LPDDR5/X）产品收入占比分别为0.00%、0.42%、15.65%和40.44%。
主要供应商。公司生产经营使用的主要原材料包括化学品、备件、光阻剂、硅片、气体和靶材，其中备件占比最高占比达43%~48%；化学品占比增长最快，从2022年27%增长到2025年1~6月39.9%。目前硅片、通用备件、大宗气体国产化程度高，已基本实现自主供应，而高端光刻胶、特种电子气体、高端金属靶材等关键材料仍高度依赖进口，并且缺乏关键设备如光刻机，直接导致产能扩张困难。长鑫现在能做的，是把原来跑DDR4的旧光刻机拿出来，通过工艺改进去跑DDR5，这叫“产能置换”，只要没有新的光刻机进场，总产能的上限就被锁死了。EUV光刻机是制造HBM未来发展必不可少的设备，HBM3可以用DUV来替代，但是未来HBM4 EUV将变成必需品。长鑫科技当前产能主要来自合肥、北京的三座12英寸晶圆厂，截至2025年6月产能利用率已达到94.63%，接近满负荷运转。
主要客户。长鑫科技销售模式普遍采用经销商模式，2022年、2023年、2024年、2025年1~6月经销收入占比分别为87.78%、84.69%、85.91%、73.21%。经销商买断产品后自行销售，长鑫科技不承担后续销售风险。公司对于经销商公司主要采用先款后货的方式进行结算，一般情况下不涉及应收账款，而对于直销客户，一般存在一定账期，因此，应收账款主要对象整体上以直销客户为主。2022年、2023年、2024年、2025年1~6月，公司前五大客户合计销售额占当期主营业务收入的比例分别为69.43%、74.12%、67.30%和59.99%，直接客户主要为半导体行业知名经销商，终端客户主要为服务器、移动设备、个人电脑等下游应用领域的大型厂商，包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等。公司客户集中度相对偏高，主要由于公司下游服务器、移动设备、个人电脑等市场需求相对较大且市场相对集中，同时公司主要通过经销模式由少量经销商对接终端客户所致。
DRAM。Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器，占比约59%。最大的单一品类，是所有电子设备的“运行内存”。它作为CPU的“高速工作台”，负责临时存放正在运行的程序数据，特点是速度极快但断电后数据会丢失，直接决定设备运行是否流畅。长鑫科技的产品都是在这一类。
NAND Flash。Not AND + Flash，与非闪存，占比约40%。第二大品类，是我们手机、电脑里的“存储空间”。NAND就是俗称的“硬盘”，如固态硬盘SSD、手机存储空间，它作为“永久仓库”，负责长期保存你的照片、文件和系统，特点是断电后数据不丢失，直接决定设备能装多少东西。
利基存储。存储芯片是整个半导体里标准化程度最高的元器件，三星、SK海力士、美光三家占据全球90%以上的DRAM和NAND Flash，这些是市场的主体，通常被称为“大宗商品型存储”。而“利基型存储”，就是指那些巨头们“看不上”或“顾不上”的细分市场。智能手机、PC电脑和云端服务器，这三大应用吃掉了全球绝大多数存储芯片，利基存储就是这三大主流应用之外的所有“边角”场景，单颗用量小、规格要求特殊、认证周期长、价格敏感度相对低。利基存储市场主要由利基型DRAM、NOR Flash和SLC NAND这“三驾马车”构成。利基DRAM相当于设备内存，NOR Flash和SLC NAND都属于设备硬盘，用于电脑、手机、服务器这种主流场景以外的其他部分，包括机顶盒、路由器、汽车电子、工业、通信、医疗等。利基DRAM管“运行时的临时记忆”，是设备的“工作台”；NOR Flash管“开机的几行代码”，是设备的“启动开关”；SLC NAND管“关键数据的永久存放”，类似设备的“黑匣子”。主流存储以IDM模式为主导，三星电子、SK海力士、美光三大DRAM巨头，以及长鑫科技均为纯IDM企业，设计制造全部自己做；利基存储存在较多Fabless厂商，此类存储品类工艺复杂度相对较低，市场规模较小，只做设计，制造外包。
技术壁垒：DRAM设计与制造工艺复杂，需平衡高密度、低功耗等多重目标，制造环节涉及数百道精密工序，且技术迭代快，新进入者需长期技术积累才能响应市场需求，壁垒显著。
资金和产能壁垒：行业为IDM模式，单座晶圆厂投资超百亿美元，研发与产线投入持续攀升；需通过大规模产能实现规模效应，高资本投入与产能门槛限制新进入者，推动行业集中度提升。
人才壁垒：行业属人才密集型，对核心人才的技术与经验要求极高，IDM模式覆盖多环节，高端人才稀缺，人才储备成为新进入者的核心障碍。
根据Omdia数据，全球DRAM市场规模有望从2024年的976亿美元增长至2029年的2,045亿美元，年均复合增长率为15.93%。根据Yole数据2024年中国DRAM市场规模约为250亿美元，占全球DRAM市场比重四分之一，作为全球主要DRAM需求市场，中国在该领域长期高度依赖进口，DRAM本土厂商由广阔空间。
长鑫科技主要产品均属于DRAM存储，需求主要取决于下游产业的发展。根据Omdia统计，2024年全球DRAM下游应用领域中，服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车市场需求占比分别约为38%、35%、14%和3%，前述四大应用市场合计占全球DRAM下游应用需求市场的比例约90%。数字经济时代下，服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车以及其他多元应用场景的持续发展，有望拉动DRAM市场需求进一步增长。
服务器需求。服务器DRAM有望成为DRAM各应用领域中增长最快的市场之一。根据Omdia数据，2024年全球服务器DRAM市场占比约为38%，到2029年服务器DRAM市场占比预计将增长至约51%。数据中心扩张、云计算发展对于数据处理基础设施建设的需求持续快速增长，成为服务器DRAM市场规模扩大的核心驱动力之一。根据Omdia预测，全球服务器搭载的DRAM总量预计将由2024年的约10,963MGB增长至2029年的约33,366MGB，2024~2029年年复合增长率约为24.93%。
移动设备需求。移动设备DRAM是DRAM核心下游应用市场之一，其中智能手机应用在移动设备DRAM市场中占有主要份额，其余细分应用包括平板电脑等。移动设备性能提升及功能升级驱动单机内存容量增长，为移动设备DRAM需求提供有力支撑，推动其市场规模保持稳健增长。根据Omdia预测，全球移动设备搭载的DRAM总量预计将由2024年的约10,099MGB增长至2029年的约19,475MGB，2024~2029年年复合增长率约为14.03%。
个人电脑需求。个人电脑DRAM是DRAM第三大应用市场，主要应用包含台式机和笔记本电脑等。个人电脑的换机升级以及端侧场景的持续拓展，成为驱动个人电脑DRAM市场增长的重要因素。根据Omdia预测，全球个人电脑搭载的DRAM总量预计将由2024年的约4,101MGB增长至2029年的约7,087MGB，2024~2029年年复合增长率约为11.57%。
智能汽车。智能汽车DRAM正在成为DRAM市场最具潜力的新兴赛道之一。尽管当前智能汽车DRAM占总体市场比例相对有限，但随着汽车智能化、网联化进程加速，自动驾驶和智能座舱的升级需求有望共同驱动汽车DRAM市场进入高速增长阶段。根据Omdia预测，全球智能汽车搭载的DRAM总量预计将由2024年的约828MGB增长至2029年的约1.972MGB，2024-2029年年复合增长率约为18.97%。
其他类。在全球数字化浪潮驱动下，工业控制、可穿戴设备、智能家居等众多应用领域的发展驱动数据存储与处理需求蓬勃增长。根据Omdia预测，全球其他多应用领域搭载的DRAM总量预计将由2024年的约2,733MGB增长至2029年的约4,161MGB，2024-2029年年复合增长率约为8.77%。
数字经济推动需求爆发。数字经济浪潮下，全球数据总量呈现爆发式增长。根据IDC预测，2025年全球将产生213.56ZB数据，到2029年将增长一倍以上达到527.47ZB。
数据中心占比突破50%。从数据中心到终端设备，从云端到边缘，AI技术的渗透正在重塑半导体市场的需求结构。2026年，AI将继续主导半导体行业的增长，成为推动市场规模扩大的核心动力。过去二十多年间，数据中心在全球半导体收入中的占比始终稳定在30%~40%之间，而过去两年这一格局被迅速改写，数据中心市场收入实现翻倍增长，仅2023年至2025年就新增约2,000亿美元，使其占全球半导体总收入的比重攀升至46%。
HBM需求呈爆发式增长。HBM与AI算力深度绑定，主要应用于AI大模型训练、高端GPU、AI服务器，单台AI服务器的HBM需求量是普通服务器的8倍，若HBM缺位，GPU算力将因“数据饥饿”无法充分释放，成为制约AI算力提升的核心瓶颈之一，未来将持续深度绑定英伟达、AMD等GPU厂商，场景集中度进一步提升。2025年HBM总需求同比增长89%，2026年预计增长67%，且2026年三星电子、SK海力士、美光的HBM产能已基本被预订完毕，形成“一芯难求”的局面，价格持续攀升，单片价格已达360美元，毛利率高达68%，成为头部厂商的核心利润来源。
产品高度标准化。由于各厂商均参照JEDEC标准设计并制造标准DRAM产品，不同厂商的同代际产品在速率、带宽、电压等关键指标上严格遵循行业规范，在核心性能参数、接口协议及基础功能上具有高度一致性。
国内以DDR5补HBM短板。DDR在全球使用占比高于HBM，在中国这个比重将会更高。2025年美国商务部进一步收紧了对华出口HBM的限制。不仅是顶级的HBM3E，连基础版本的HBM3也被列入了严控范围，国内难以大规模获得最顶级的含大容量HBM的GPU。全球HBM市场由三星电子、SK海力士和美光垄断，主流产品已迭代至HBM3e并量产HBM4样品。相比之下，中国本土产业链的主力量产产品仍停留在HBM2E阶段，HBM3处于小批量验证期。因此，国内构建AI集群时，往往采用更多数量的中端显卡或国产昇腾/海光芯片。这种架构通常需要配置更大容量的系统主内存DDR5来进行数据交换和卸载，导致国内AI服务器对DDR5的需求比例可能高于美国市场。国内目前有大量的推理需求和中小模型训练需求，推理服务器对HBM的要求低于训练服务器，但对系统内存DDR5的吞吐量要求依然很高，这使得DDR5在国内的出货基数非常大。
随着AI算力持续提升，系统瓶颈逐渐从计算转向内存容量与带宽。由于HBM容量有限，行业正在探索不同方式扩展GPU可用内存空间。目前主要形成三条技术路线：增加HBM容量、构建CXL内存池、以及通过HBF构建HBM与SSD之间的高带宽层。
增加HBM容量。HBM3e到HBM5的容量提升，本质是在有限芯片面积内塞进更多内存容量。HBM从3e到5的容量提升，就像在建造一个小区，目标是能住更多的人。这里面就有两个方法，一个是修更多的楼，另一个是把楼修的更高。楼层更高了，数量更多了，就能住更多的人。这就是在有限的地皮——芯片面积上，通过“垂直加盖”和“水平增栋”两种方式，把总容量从200GB级别拉到TB级别。
构建CXL内存池。CXL，Compute Express Link，是一种基于PCIe物理层的高速互连协议，主要用于实现计算系统之间的内存共享与内存扩展。HBM扩容是增加了单颗芯片的内存容量，而CXL内存池将内存从服务器中独立出来，形成一个可被多台服务器动态、弹性共享的资源池。HBM解决的是单颗芯片内存如何增加的问题，CXL内存池解决的是多颗芯片如何协作提高使用效率的问题。HBM关注单点性能的极致，而CXL内存池类似于通过“共享经济”实现系统级效率的优化。现代AI芯片的内存分层，本质是按照“速度—容量—成本”分级，将数据按冷热分布在不同层级：最热数据放在HBM等高速小容量内存中以保证计算性能，次热数据通过CXL内存池进行扩展与共享以提升整体利用率，冷数据则存放在大容量但高延迟的存储中；通过分层存储与动态数据迁移，可以降低成本、提高效率。
HBF，High Bandwidth Flash，高带宽闪存。刚开始是CPU和GPU空转，需要提升内存的速度，这就出现了HBM，然后马上会发现还有个问题，就是内存也出现空转，因为NAND闪存的速度跟不上，HBF应运而生。简单理解，HBM和HBF两者都是通过3D堆叠打包，让原本单打独斗的芯片变成一支协同作战的部队。HBM堆的是DRAM层数，而HBF堆的是NAND层数。HBM和HBF的底层技术是相通的，都依赖3D堆叠和硅通孔，用同样的“垂直打包”思路把芯片叠起来，并联出超宽数据通道。SK海力士、三星这些HBM巨头，之所以能率先布局HBF，正是因为它们在TSV堆叠、先进封装、高带宽互连上积累了成熟经验。因为DRAM本身是平面结构，而NAND每一层内部已经是数百层3D单元，再往上堆叠，难度极大。如果说HBM类似平地施工盖楼，那么HBF是山地施工盖楼。虽然研发HBM积累的工艺和设计经验，可以直接用在HBF设计上，但HBF的工程复杂度远高于HBM。
三种路径的核心目标一致，就是在保证带宽效率的同时，低成本扩展AI系统可用内存规模。目前增加HBM容量是相对成熟的主流路径，CXL内存池正在落地过程中，而HBF宽带层还是概念状态，不确定性最大。CXL内存池是“性价比”的最优解，低成本的大容量内存填补了HBM无法满足的需求。整体来看，CXL产业当前仍处于导入阶段，预计2025~2026年开始在数据中心服务器中逐步放量，2027年前后有望进入规模化应用阶段。
本轮“超级周期”的本质，是存储需求从“容量为主的消费电子与云计算”，迁移到“带宽+容量并重的AI训练与推理基础设施”，核心驱动来自需求端的结构性变革。
从价格暴涨看存储超级周期。2026年1月，韩媒报道三星电子将2026年Q1的NAND闪存供应价上调100%以上，远超此前市场预期的30%~40%，标志着NAND进入疯狂补涨阶段。因为三星电子、SK海力士主动减产NAND、将产能全力转向HBM，导致传统存储供给人为收缩。从高端HBM、服务器DDR5，到低端DDR4、消费级NAND，全线涨价。2025~2026年的存储涨价是“史诗级”的。根据发改委的监测数据，截至2026年1月，存储芯片两大核心产品DRAM和NAND闪存的价格，双双创下2016年有数据以来的最高纪录：DRAM合约平均价格为11.5美元，比上月上涨约24%，比2025年9月上涨了83%；NAND闪存合约平均价格为9.5美元，比上月上涨约65%，比2025年9月上涨了近1.5倍。根据媒体报道，目前电脑内存条价格较去年8、9月出现了大幅上涨，部分型号涨幅接近或超过400%。例如，主流的DDR4内存条和DDR5内存条价格自2025年9月以来累计涨幅分别达到150%以上和300%以上。TrendForce预计2026Q1DRAM合约价将有90%~95%的环比涨幅；2026Q1NAND Flash 合约价将有55%~60%的环比增幅，且不排除仍有进一步上修的空间。中国国家发改委价格监测中心表示，当前存储芯片正处于上涨周期。年内来看，在AI服务器算力需求持续增长的带动下，全球存储芯片市场供不应求局面仍将持续，存储芯片价格将延续上涨态势。
未来展望。预计这一轮AI驱动下的存储行业将在2026年迎来爆发式增长，周期顶部或将持续到2027年。短期市场仍有周期性波动，但长期来看，AI需求的稳定性将弱化周期波动、拉长周期时长、缩小波幅，叠加高端产能短缺格局难以快速缓解，存储行业将正式进入AI算力驱动的长期景气阶段。SK海力士警告，DRAM供应短缺状况将持续至2028年。预计HBM将长期存在缺口，但NAND以及DDR4/5缺口或将在2027中后期逐步缩小，2028年完全消失。TrendForce预估2026年全球存储市场规模达5,516亿美元，同比增长134%；2027年则将再创高峰达8427亿美元，同比增长53%。HBM在整个内存市场中的占比将逐渐提高，预计到2030年，HBM的市场份额将接近50%，2025~2030年均复合增速约为23.63%。高盛预测，2026年DRAM供需缺口将达到4.9%，2027年缺口持续维持在2.5%；预计2026年NAND供需缺口将扩大至4.2%，2027年为2.1%。
DRAM市场格局。存储芯片行业是典型的三寡头垄断格局，由三星电子、SK海力士和美光掌控全球超90%的DRAM和NAND产能。该行业壁垒极高，竞争焦点已从价格战转向AI高端制程。目前，SK海力士凭借HBM技术领跑AI市场，三星电子紧随其后，美光作为唯一美系巨头，正加速追赶HBM并依托地缘政治优势争取份额。整体呈现“技术定生死、产能即话语权”的激烈博弈态势。三星电子、SK海力士、美光科技三巨头垄断全球DRAM90%以上的市场份额；基于Omdia数据测算，按2025年第二季度DRAM销售额统计，长鑫科技全球市场占有率为3.97%，位列全球第四位，中国第一位。
HBM市场格局。根据Counterpoint Research统计，2025年HBM的市场份额：SK海力士62%，美光21%，三星17%。2025年三星因12层HBM3E良率未能完全通过NVIDIA严苛认证，导致其份额出现断崖式下跌，而美光趁机抢占了大量高端AI服务器市场的历史性反转。进入2026年，竞争核心从HBM3E向HBM4转移。HBM4竞争格局在2026年已进入“三强鼎立、一超多强”的白热化阶段。2026年是HBM4的量产元年，三大巨头已形成对英伟达等AI客户的共同供应格局，但SK海力士仍因产能规模和生态绑定享有最高溢价权，三星紧追不舍，美光则处于奋力追赶的态势，市场从“一家独大”正式演变为“动态平衡”的寡头博弈。业界普遍预计长鑫科技将在2026年底实现HBM3的初步量产。受限于海外对先进制程设备的管制，早期的量产必定是小规模的。其核心战略意义在于解决国内AI算力芯片“从无到有”的卡脖子难题，短期内无法在产能规模上与SK海力士正面对抗。从HBM3跨越到HBM3e，再到HBM4，不仅是钱的问题，更是底层材料学、封装设备被全面封锁下的一场“极限生存挑战”。业界预计，长鑫科技距离量产HBM3e至少还有2~3年，而HBM4目前在国内还处于纯粹的“技术预研”和探路阶段，大概率是2030年以后的远期目标。其他如闪迪、西部数据、南亚科技、华邦电子，均不生产HBM，Rambus提供HBMIP核，不生产存储芯片。
技术竞争格局。三巨头的产品既包括DRAM，又包括NAND Flash，比如SK海力士和美光科技收入结构均为70%DRAM、30%NAND Flash，而长鑫科技只涉及DRAM。在DDR5和LPDDR5这一代产品上，长鑫科技与国际三巨头的制程节点存在大约4~5纳米的真实物理差距。三巨头已经利用更先进的工艺（12~14nm）去生产利润更高的HBM和超高密度服务器内存，而长鑫科技受限于16nm工艺，目前只能在中低端和主流市场通过价格优势进行“国产替代”，暂时无法在顶级AI算力领域与巨头抗衡。在要求极高性能和低功耗的服务器、高端PC及AI算力领域，长鑫科技难以进入核心供应链，只能在中低端消费市场以“性价比”方式竞争。在HBM产品上，长鑫科技与三巨头差距一整代，三巨头已经量产HBM4，再研发HBM4E，而长鑫科技还在尝试量产HBM3，同时受设备卡脖子等原因量产数量与良率将受到影响。三巨头中SK海力士凭借持续对HBM的投入以及MR-MUF键合工艺实现高良率与强散热，三星未来解决了发热、良率等问题，将凭借产能动摇SK海力士在HBM上的地位，而美光具有更好能效且有美国本土政策优势。
国产替代战略卡位。在中美科技博弈的背景下，中国庞大的下游终端企业如华为、小米、联想、浪潮等手机、PC和服务器厂商为了供应链安全，必须寻找非美系的本土替代方案。长鑫科技是中国目前唯一具备大规模量产先进DRAM能力的本土企业，这赋予了它极强的市场稀缺性。
国家政策与资金支持。长鑫科技的起步和发展离不开政府部门的战略定力和巨额国资投入，大基金二期、安徽省投、合肥产投等国资背景股东提供了长期资金保障和政策支持。国际巨头在行业低谷时往往需要大幅削减资本开支，而长鑫科技在国家战略背书下，具备“逆周期投资”的能力。它可以忍受长期的低迷甚至亏损，以国家产业安全的逻辑而非单纯的华尔街财务逻辑来维持高昂的研发和扩产投入。
专利防御与全栈自研。长鑫科技在创立之初，通过收购破产的德国半导体巨头奇梦达的一千多项DRAM核心专利，获得了宝贵的初始专利技术池，使得公司可以抵御美光、三星等巨头的潜在知识产权大棒。高强度自研与快速迭代能力，保障技术路线自主可控与持续领先。
工程师红利与成本控制。中国拥有全球最庞大的理工科毕业生群体，中国工程师是全世界性价比最高的大脑。长鑫科技的国产供应链，进一步放大了这种优势，大幅降低了固定资产投入和运营成本。
2022年、2023年、2024年、2025年1~6月，长鑫科技剔除存货跌价准备转销影响后的主营业务毛利率分别为-35.57%、-113.27%、-4.72%、4.63%。长鑫科技的毛利率水平显著低于三巨头，比如2025年1~6月三星电子和美光科技的毛利率均达到30%以上，而SK海力士高达55.39%，长鑫科技仅有4.63%。长鑫科技毛利率远低于三巨头的原因：（1）产品结构主要是中低端。SK海力士高达55.39%的恐怖毛利率，绝大多数归功于HBM，长鑫这一块还无法量产，主要还是在消费电子和常规服务器市场里进行国产替代。（2）技术代差导致成本偏高。因为长鑫科技无法获取EUV光刻机，为了在较成熟的设备（DUV）上实现更先进的工艺节点，长鑫必须采用“多重曝光”等复杂工艺。工艺步骤的增加直接导致了良率爬坡难度增大、生产周期拉长、材料和设备损耗增加，这使得长鑫的单个内存颗粒制造成本显著高于三大巨头。（3）规模效应差距。长鑫科技成立目前正处于折旧计提的最高峰期，在产能还在爬坡、出货规模尚未达到极致的情况下，单位折旧成本非常高；而三大巨头庞大的老旧产线早已经完成折旧，而且更大的出货量可以摊薄单位成本。（4）低价抢占市场份额。三巨头掌握着全球95%以上的存储芯片产能，对上游设备商、下游模组厂拥有绝对话语权，长鑫科技为进入小米、OPPO、vivo等手机厂商供应链，不得不接受“以价换量”的策略，导致LPDDR系列毛利率非常低。
2022年、2023年、2024年、2025年1~6月，长鑫科技净利润分别为-91.71亿元、-192.25亿元、-90.51亿元、-40.88亿元。
公司净利润持续为负，但亏损幅度不断收窄。净利润持续亏损的原因：“高投入、低毛利”的阶段性矛盾。一方面，前期投入巨大。作为国产存储龙头，其采用IDM模式自建晶圆厂，并为实现技术跨越投入了巨额研发与折旧费用，导致成本高企。2022年、2023年、2024年、2025年1~6月，长鑫科技研发费用分别为24.86亿元、45.20亿元、45.07亿元、36.61亿元；固定资产折旧金额分别为52.43亿元、105.55亿元、148.75亿元和113.49亿元，对公司盈利能力有较大影响。另一方面，产品毛利偏低。其主力产品LPDDR系列受限于消费电子需求疲软及激烈的国产替代价格战，毛利率极低，难以覆盖高昂的运营成本；虽然DDR系列因行业缺货毛利尚可，但尚不足以完全抵消整体亏损。
2023年公司净利润为-192.25亿元，亏损金额明显高于其他各期。最主要是由于2022年下半年以来，DRAM行业处于下行周期，产品价格至2023年上半年达到周期低点，行业自三季度开始逐步回暖，但全年产品均价仍较低，2023年全年公司产品销售均价较2022年同比下降43.54%。受行业周期影响，2023年，公司计提的存货跌价损失大幅增加，金额达115.00亿元，对公司净利润产生较大冲击。虽然公司产销量较2022年仍迅速增长，单位生产成本进一步下降，但产品价格大幅度下跌及存货减值影响更大，导致出现巨额亏损。
净利润显著低于同行的原因：发展阶段与成本结构的双重劣势。作为追赶者，其前期需承担IDM模式下的巨额折旧与研发投入，导致固定成本极高；同时，受限于技术代差与规模效应，其主力消费级产品在激烈的国产替代价格战中毛利率极低，难以覆盖成本。反观三星、SK海力士等巨头，凭借技术领先、规模效应及HBM等高毛利产品的加持，形成巨大的利润鸿沟。总而言之，设备采购受限、扩产节奏慢、规模效应不足，叠加工艺复杂度高、研发投入巨大，最终造成毛利率低、单位成本高、盈利被严重挤压。
算上资本化的研发支出，2022年、2023年、2024年、2025年1~6月研发投入绝对金额分别为41.95亿元、46.70亿元、63.41亿元、36.61亿元，占营业收入的比重分别50.62%、51.40%、26.23%、23.71%。长鑫科技的研发投入占营业收入比重显著高于同行业，2022年、2023年超过一半营业收入被用来做研发，2024年、2025年1~6月研发购入占比仍然超过20%，大部分同行企业只有10%左右。长鑫科技异常高的研发投入占比，反映了其正处于“战略投入期”和“技术攻坚期”。尽管长鑫科技研发投入占营业收入的比重常大，但是按投入绝对金额来说与三巨头差距明显。比如2025财年美光科技投入37.98亿美元，SK海力士约38~42亿美元，三星电子DS事业群约花费85~92亿美元，而长鑫科技2024年、2025年1~6月研发投入（按照当前汇率6.91计算）分别为9.18亿美元，5.30亿美元。这些研发投入对长鑫科技的收入体量来说已经是巨款，但是研发投入绝对值依然严重落后，这进一步反映了长鑫科技与三巨头的资金实力差距。
根据招股书，长鑫科技2025年1~9月经审阅的归母净利润为-52.80亿元，扣非后归母净利润为-10.62亿元。据招股书，长鑫科技2025年预计归母净利润为-16至-6亿元，扣非后归母净利润可达28亿~30亿。公司预计2026年实现盈利，核心驱动为产能释放、产品结构升级、单位成本下降与行业价格回升。
我们按照2025全年预计扣非后归母净利润30亿简单匡算，减去2025年前三季度扣非后归母净利润-10.62亿元，2025年第四季度扣非后归母净利润为40亿水平。乐观预测，如果DRAM产品市场价格水平能够维持，行业景气度持续高涨，折旧费用没有大幅提升，一个季度扣非归母净利润维持40亿，由此可推断2026年扣非后归母净利润可达160亿以上。
控制权认定。关注公司“无控股股东、无实际控制人”认定的真实性、准确性与合理性，股东间是否存在未披露的一致行动关系。
亏损原因及盈利预测。关注公司持续亏损的原因，预计未来盈利的合理性和审慎性、未来业绩增长的可持续性，盈利时点敏感性分析的充分性与谨慎性。
研发支出资本化。关注研发支出资本化的合理性，在2022年至2024年期间，长鑫科技研发支出资本化金额分别为17.09亿元、1.50亿元、17.34亿元和0亿元。大部分IPO企业的研发支出都选择费用化，研发支出资本化会导致公司净利润增加，申报期出现大额资本化必然引起质疑，不过到最后一期已经降低到0，这明显是投行中介整改后的结果。
关联交易。兆易创新与长鑫科技关系密切，关注公司与兆易创新关联交易的必要性、合理性与公允性，是否构成同业竞争或潜在同业竞争，是否存在利益输送及其他特殊安排。
持续亏损风险。2022年、2023年、2024年、2025年1~6月，净利润分别为-91.71亿元、-192.25亿元、-90.51亿元、-40.88亿元，持续巨额亏损。根据公司前瞻性信息，预计2026年或2027年可实现盈利。公司能否在2026年盈利主要受到平均单价及月均出货量的综合影响。如公司2026年平均单价及出货量情况不及预期，则可能当年无法实现盈利。
市场竞争风险。DRAM行业长期由三星、SK海力士、美光主导，全球DRAM市场由三星、SK海力士、美光三家垄断90%市场份额，长鑫科技全球市占率仅有4%水平；在先进制程上，长鑫科技与国际巨头相比仍有1.5至2代的技术差距，在AI服务器急需的HBM领域，国际大厂已量产HBM3e甚至研发HBM4，而长鑫科技目前尚未实现HBM的大规模量产，这意味着可能错过AI算力爆发的第一波红利；三巨头是标准制定者，定义下一代内存标准，长鑫科技必须等JEDEC标准指定后才能动手，天然慢半拍。
供应链风险。存储芯片越往先进制程发展，对极紫外光刻机EUV、高端浸没式DUV，以及高深宽比刻蚀设备的依赖就越深。目前美国对中国半导体设备的出口管制还在持续收紧，一旦制裁范围进一步扩大，长鑫的先进产能扩产将面临物理意义上的停滞。
需求变动风险。消费电子需求存在下滑趋势，AI可能挤压传统服务器需求，如果等到新产能彻底释放时，刚好撞上半导体下行周期，可能面临产能过剩的问题。
经销模式风险。长鑫科技普遍采用买断式经销商模式，2022年、2023年、2024年、2025年1~6月经销收入占比分别为87.78%、84.69%、85.91%、73.21%。经销商是否真正实现了终端销售，审计师很难直接获取证据，因而经销模式成为财务造假、粉饰报表重灾区，即使IPO充分核查了，高比例经销收入导致的固有风险始终存在。
估值泡沫风险。按照拟募资295亿元占股10%倒推，长鑫科技发行后的估值应该在2,950亿元水平，当然最终得看询价情况。按照2025年预计扣非后归母净利润30亿匡算，长鑫科技发行市盈率高达98倍；按照2025年第四季度的情况乐观预测，假定2026年实现归母净利润160亿，则发行市盈率为18.43。预计公司上市以后，二级市场将进一步推高估值水平，目前A股很多科技股市盈率高达上百倍。二级市场在为“国产替代”的宏大叙事买单时，也需关注业绩实现和估值合理性。一旦业绩、技术或行业周期不及预期，高估值将面临严峻考验。
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